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存儲(chǔ)市場(chǎng)柳暗花明，國產(chǎn)新勢(shì)力逐步崛起

存儲(chǔ)芯片，猶如我們大腦中的記憶中樞，是各類先進(jìn)技術(shù)得以大放異彩的重要基礎(chǔ)。在數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長的當(dāng)下，存儲(chǔ)芯片的需求也隨之大幅提升。
根據(jù)最新數(shù)據(jù)研究，預(yù)計(jì)2024 年，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的規(guī)模將猛增至令人震驚的 1529 億美元，這充分彰顯了其在現(xiàn)代科技體系中無可或缺的重要地位。在中國，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的規(guī)模正在飛速擴(kuò)增，預(yù)計(jì)到 2024 年將超5000億元。如此龐大的市場(chǎng)，為那些掌握存儲(chǔ)芯片核心技術(shù)的企業(yè)帶來了前所未有的發(fā)展良機(jī)。
圖源：WETS，國聯(lián)證券研究所


一、存儲(chǔ)行業(yè)的周期觸底反彈，市場(chǎng)迎來拐點(diǎn)

受全球經(jīng)濟(jì)不振和產(chǎn)業(yè)鏈庫存高企影響，自2021年年底至2023年，存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)歷了一場(chǎng)“寒冬”，幾家存儲(chǔ)巨頭創(chuàng)下過去15年來最嚴(yán)重的低迷，紛紛啟動(dòng)削減開支減產(chǎn)，調(diào)整供給。減產(chǎn)這一關(guān)鍵詞，幾乎貫穿上游原廠的2023年全年。
在經(jīng)歷了漫長的行業(yè)下行周期之后，結(jié)合原廠消減資本開支，減少晶圓產(chǎn)能等多重措施，使得存儲(chǔ)市場(chǎng)供需回歸平衡。
至2023年四季度，存儲(chǔ)賽道釋放出了多個(gè)樂觀信號(hào)，庫存減少、訂單增長、醞釀漲價(jià)等一系列反轉(zhuǎn)跡象都在表明——整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)的周期底部越來越明顯，存儲(chǔ)芯片行業(yè)或許迎來了拐點(diǎn)。特別是在NAND Flash領(lǐng)域，隨著渠道需求的恢復(fù)，產(chǎn)品的供給過?，F(xiàn)象將進(jìn)一步改善，部分產(chǎn)品的價(jià)格開始上漲。當(dāng)前，存儲(chǔ)市場(chǎng)處于底部橫盤階段，市場(chǎng)仍在競(jìng)爭(zhēng)存量需求的階段。

二、存儲(chǔ)芯片呈寡頭的格局，國內(nèi)替代空間廣闊

隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和云計(jì)算技術(shù)的推進(jìn)，國內(nèi)電子制造水平不斷提升，對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求逐步攀升。目前存儲(chǔ)行業(yè)全球市場(chǎng)份額基本被韓國、日本以及美國等國家占據(jù)。近些年國內(nèi)廠商積極布局，市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大。但從當(dāng)前總規(guī)模來看與國際巨頭差距依然巨大，對(duì)于國內(nèi)廠商來說，在產(chǎn)能與技術(shù)上依然有巨大的國產(chǎn)化空間。國內(nèi)存儲(chǔ)芯片制造商積極投入存儲(chǔ)芯片研發(fā)和制造領(lǐng)域，努力實(shí)現(xiàn)技術(shù)自主創(chuàng)新，提升本土產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，降低進(jìn)口依賴。
作為國內(nèi)最早布局移動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片的公司，芯邦科技在移動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片領(lǐng)域歷經(jīng)20年的發(fā)展和創(chuàng)新，移動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片在性能、成本、優(yōu)化速度、兼容性等方面具備優(yōu)勢(shì)，改變了該領(lǐng)域一直被海外廠商壟斷供應(yīng)的歷史。
芯邦科技通過自主研發(fā)的專用處理器及Flash控制算法，成功解決了flash應(yīng)用市場(chǎng)中控制芯片難以適應(yīng)、flash快速迭代等老大難問題，引領(lǐng)了該細(xì)分市場(chǎng)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，并取得了多項(xiàng)專利。
芯邦移動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片采用的NAND Flash控制算法定制的專用處理器，可以兼容存儲(chǔ)晶圓原廠的超過1000種NAND Flash存儲(chǔ)芯片，在壞區(qū)識(shí)別、數(shù)據(jù)糾錯(cuò)能力等技術(shù)指標(biāo)方面具備優(yōu)勢(shì)，并擁有優(yōu)良的均衡擦寫算法，能夠提高移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備中NAND Flash存儲(chǔ)芯片的容量利用率，并在確保數(shù)據(jù)高效、準(zhǔn)確讀寫的同時(shí)，延長移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備使用壽命。
目前芯邦存儲(chǔ)控制芯片產(chǎn)品包括U盤控制芯片、SD卡控制芯片、TF卡控制芯片，其中USB存儲(chǔ)盤主要應(yīng)用于個(gè)人移動(dòng)存儲(chǔ)、商務(wù)辦公、醫(yī)療無紙化、車載多媒體等可兼容USB接口的數(shù)據(jù)傳輸、音視頻播放、文件載體等場(chǎng)景；SD/MMC存儲(chǔ)卡主要應(yīng)用于攝影攝像設(shè)備、無人機(jī)、行車記錄儀、游戲設(shè)備、手機(jī)、平板電腦、安防等場(chǎng)景。此外，固態(tài)硬盤控制芯片以及EMMC芯片處于研發(fā)階段